4-гигабитовите 30-нм модули DDR3 са средно с 50% по-производителни, отколкото аналогични решения на база 40 нанометра, твърди производителят.
Така например, при номинално захранващо напрежение 1,35 волта, новите чипове, работещи с честота 1866 MHz, изпреварват по производителност с 40% модулите, изпълнени по 40-нанометров процес и работещи съответно при напрежение 1,5 волта и тактова честота 1333 MHz.
Samsung започна масово производство на първите „зелени” 32-гигабайтови (4 гигабита) DDR3 DRAM памети, изпълнени по 30-нанометрова технология. Модулите са предназначени за използване в облачни ИТ среди и високопроизводителни сървърни системи.
